臺積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球，在近日于無錫舉辦的中國集成電路設計業(yè)2021年會暨無錫集成電路產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上分享了該公司在芯片制程工藝上的最新進展。

　　羅鎮(zhèn)球將該主題演講的標題定為《半導體產業(yè)的新時代》。在演講中，羅鎮(zhèn)球宣布，臺積電的7nm工藝是在2018年推出的，5nm在2020年推出，在2022年會如期推出3nm工藝，而且2nm工藝也在順利研發(fā)。同時指出“雖然有很多人說摩爾定律在減速或者在逐漸消失，可事實上臺積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續(xù)往前推進。”

　　在峰會上，羅鎮(zhèn)球向外界展示了臺積電芯片工藝研發(fā)路線圖，從 5nm 工藝至 3nm，晶體管邏輯密度可以提升 1.7 倍，性能提升 11%，同等性能下功耗可以降低 25%-30%。對于這樣的性能提升，羅鎮(zhèn)球指出該公司的實現(xiàn)方式是，其一是改變晶體管的結構，其二是改變晶體管的材料。此外，他還強調，未來會通過3D 封裝技術來提高芯片的性能。

　　根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，截至最新，臺積電及其關聯(lián)公司在126個國家/地區(qū)中，共有6萬8千余件專利申請，幾乎所有專利都是發(fā)明專利。值得注意的是2015年以前臺積電的授權專利占比是90%以上。