雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點(diǎn)上落后了一些，但在接下來(lái)的3nm節(jié)點(diǎn)三星更激進(jìn)，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電的3nm工藝依然會(huì)基于FinFET工藝。

　　三星之前表示，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

　　根據(jù)三星的說(shuō)法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來(lái)說(shuō)卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

　　當(dāng)然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產(chǎn)就是個(gè)問(wèn)題，之前三星宣傳2021年就量產(chǎn)，實(shí)際上并沒有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國(guó)平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠了，6、7月份動(dòng)工，并及時(shí)導(dǎo)入設(shè)備。

　　按照這個(gè)進(jìn)度，今年的3GAE工藝應(yīng)該也只會(huì)是小規(guī)模試產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)也要到明年了，跟臺(tái)積電的3nm工藝差不多，兩家都因?yàn)榉N種問(wèn)題延期量產(chǎn)3nm工藝了。