4 月 18 日消息，綜合電子科技大學新聞網(wǎng)、《四川日報》報道，電子科技大學信息與量子實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片。這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺取得的又一項重要進展。 　　注：量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作是點亮“量子房間”的“量子燈泡”，讓聯(lián)網(wǎng)用戶擁有進行量子信息交互的能力。

　　目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破，輸出波長范圍從 25.6 納米增加到 100 納米，并可朝著單片集成發(fā)展。

　　研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。

　　據(jù)電子科技大學基礎與前沿研究院教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強介紹，通過為量子互聯(lián)網(wǎng)的建設提供更多波長資源，可以滿足更多用戶采用不同波長接入量子互聯(lián)網(wǎng)絡的需求。“這意味著，‘量子燈泡’可以點亮更多房間。”